Изменение частоты поля при плазмохимическом осаждении кремний-углеродных пленок как метод их структурной модификации

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация

Исследовано влияние частоты электрического поля в диапазоне от 0.1 до 2.0 МГц при плазмохимическом осаждении алмазоподобных кремний-углеродных пленок на их химический состав, структуру и электрофизические свойства. Показано, что пленки, получаемые во всем исследованном диапазоне частот, имеют аморфную структуру с постоянным, в пределах точности измерений, химическим составом. Вместе с тем морфология поверхности пленок и их электрофизические свойства существенным образом зависят от частоты электрического поля при плазмохимическом осаждении. Это позволяет использовать изменение частоты поля при изготовлении пленок в качестве метода управления их свойствами. Определен диапазон частот, обеспечивающий наиболее эффективную модификацию электрофизических свойств.

Об авторах

А. И. Попов

Национальный исследовательский университет “МЭИ”; Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН

Автор, ответственный за переписку.
Email: popovai2009@gmail.com
Россия, 111250, Москва; Россия, 119991, Москва

А. Д. Баринов

Национальный исследовательский университет “МЭИ”; Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН

Автор, ответственный за переписку.
Email: barinovad@mpei.ru
Россия, 111250, Москва; Россия, 119991, Москва

В. М. Емец

Национальный исследовательский университет “МЭИ”

Email: barinovad@mpei.ru
Россия, 111250, Москва

М. Ю. Пресняков

Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”

Email: barinovad@mpei.ru
Россия, 123182, Москва

Т. С. Чуканова

Национальный исследовательский университет “МЭИ”

Email: barinovad@mpei.ru
Россия, 111250, Москва

Список литературы

  1. Meskinis S., Tamuleciene A. // Mater. Sci. (Medžiagotyra). 2011. V. 17. № 4. P. 358. https://doi.org/10.5755/j01.ms.17.4.770
  2. Шупегин М.Л. // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2013. Т. 79. № 2. С. 28.
  3. Popov A. Disordered Semiconductors: Physics and Applications (2nd Edition). Pan Stanford Publishing, 2018. 330 p. https://doi.org/10.1201/b22346
  4. Пресняков М.Ю., Попов А.И., Усольцева Д.С., Шупегин М.Л., Васильев А.Л. // Российские нанотехнологии. 2014. Т. 9. № 7–8. С. 59. https://doi.org/10.1134/S1995078014050139
  5. Vencatraman C., Goel A., Lei R., Kester D., Outten C. // Thin Solid Films. 1997. V. 308–309. P. 173. https://doi.org/10.1016/S0040-6090(97)00384-2
  6. Pimenov S.M., Zavedeev E.V., Arutyunyan N.R., Zilova O.S., Barinov A.D., Presniakov M.Yu., Shupegin M.L. // Surf. Coat. Technol. 2020. V. 402. P. 126300. https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2020.126300
  7. Баринов А.Д., Попов А.И., Пресняков М.Ю. // Неорг. материалы. 2017. Т. 53. № 7. С. 706. https://doi.org/10.1134/S0020168517070019
  8. Попов А.И., Афанасьев В.П., Баринов А.Д., Бодиско Ю.Н., Грязев А.С., Мирошникова И.Н., Пресняков М.Ю., Шупегин М.Л. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2019. № 9. С. 49. https://doi.org/10.1134/S0207352819090129
  9. Попов А.И., Баринов А.Д., Емец В.М., Кастро Арта Р.А., Колобов А.В., Кононов А.А., Овчаров А.В., Чуканова Т.С. // Физика твердого тела. 2021. Т. 63. № 11. С. 1844.
  10. Barinov A.D., Popov A.I., Makarov A.A. // Proc. Eur. Modeling and Simulation Symposium, 2019. ISBN 978-88-85741-25-6; Affenzeller, Bruzzone, Longo and Pereira Eds. P. 42.
  11. Yang W.J., Choa Y.-H., Sekino T. // Mater. Lett. 2003. V. 57. № 21. P. 3305 https://doi.org/10.1016/S0167-577X(03)00053-3
  12. Попов А.И., Баринов А.Д., Емец В.М., Чуканова Т.С., Шупегин М.Л. // Физика твердого тела. 2020. Т. 62. № 10. С. 1612. https://doi.org/10.1134/S1063783420100261
  13. Баринов А.Д., Гуринович Т.Д., Попов А.И., Чуканова Т.С., Шапетина М.А., Шупегин М.Л. // Неорган. материалы. 2020. Т. 56. № 8. С. 844. https://doi.org/10.1134/S0020168520080026
  14. Zavedeev E.V., Zilova O.S., Barinov A.D. // Diamond Related Mater. 2017. V. 74. P. 45. https://doi.org/10.1016/j.diamond.2017.02.003
  15. Будагян Б.Г., Шерченков А.А., Бердников А.Е., Черномордик В.Д. // Микроэлектроника. 2000. Т. 29. Вып. 6. С. 442.
  16. Шерченков А.А. // Материалы электронной техники. 2003. Т. 1. С. 48.
  17. Yamaguchi T., Sakamoto N., Tagashira H. // J. Appl. Phys. 1998. V. 83. P. 554. https://doi.org/10.1063/1.366722
  18. Shimozuma M., Kitamori K., Ohno H., Hasegawa H., Tagashira H.J. // Electron. Mater. 1985. V. 14. P. 573.
  19. Одномерные параметры шероховатости [Электронный ресурс] / Руководство пользователя Gwyddion. Режим доступа: http://gwyddion.net/ documentation/user-guide-ru/roughness-iso.html.
  20. Лакеев С.Г., Мисуркин П.И., Поляков Ю.С., Тимашев С.Ф. и др. // Флуктуационные и деградационные процессы в полупроводниковых приборах (метрология, диагностика, технология, учебный процесс): сб. науч. тр. М.: МЭИ, 2011. С. 5.
  21. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1982. 658 с.

Дополнительные файлы


© А.И. Попов, А.Д. Баринов, В.М. Емец, М.Ю. Пресняков, Т.С. Чуканова, 2023